APT21M100J

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APT21M100J

EXSHINE Modèle de produit:EX-APT21M100J
Fabricant Modèle de produit:APT21M100J
Fabricant / Marque:Microsemi
Brève description:MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:APT21M100JPower Products Catalog
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APT21M100J
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur ISOTOP®
Séries POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 16A, 10V
Dissipation de puissance (max) 462W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 22 Weeks
Référence fabricant APT21M100J
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8500pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 1000V (1kV) 21A 462W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Tension drain-source (Vdss) 1000V (1kV)
La description MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 21A

Autres

Emballage normal 1

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