APT50GN120L2DQ2G

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APT50GN120L2DQ2G

EXSHINE Modèle de produit:EX-APT50GN120L2DQ2G
Fabricant Modèle de produit:APT50GN120L2DQ2G
Fabricant / Marque:Microsemi
Brève description:IGBT 1200V 134A 543W TO264
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:1
Datasheet Télécharger:APT50GN120L2DQ2(G)Power Products Catalog
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APT50GN120L2DQ2G
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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Condition de test 800V, 50A, 2.2 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 28ns/320ns
énergie de commutation 4495µJ (off)
Séries -
Puissance - Max 543W
Emballage Tube
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA
Autres noms APT50GN120L2DQ2GMI
APT50GN120L2DQ2GMI-ND
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 22 Weeks
Référence fabricant APT50GN120L2DQ2G
Type d'entrée Standard
type de IGBT NPT, Trench Field Stop
gate charge 315nC
Description élargie IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 134A 543W Through Hole
La description IGBT 1200V 134A 543W TO264
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 150A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 134A

Autres

Emballage normal 25
Autres noms APT50GN120L2DQ2GMI

APT50GN120L2DQ2GMI-ND

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