EXSHINE Modèle de produit: | EX-APT8M100B |
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Fabricant Modèle de produit: | APT8M100B |
Fabricant / Marque: | Microsemi |
Brève description: | MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247 |
État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Condition: | New and unused, Original |
Datasheet Télécharger: | APT8M100(B,S)Power Products Catalog |
Application: | - |
Poids: | - |
Remplacement alternatif: | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
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Vgs (Max) | ±30V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | TO-247 [B] |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 4A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 290W (Tc) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-247-3 |
Autres noms | APT8M100BMI APT8M100BMI-ND |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 22 Weeks |
Référence fabricant | APT8M100B |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1885pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Description élargie | N-Channel 1000V (1kV) 8A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-247 [B] |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 1000V (1kV) |
La description | MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 8A (Tc) |
Emballage normal | 30 |
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Autres noms | APT8M100BMI APT8M100BMI-ND |
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