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APTGT35SK120D1G

EXSHINE Modèle de produit:EX-APTGT35SK120D1G
Fabricant Modèle de produit:APTGT35SK120D1G
Fabricant / Marque:Microsemi
Brève description:IGBT 1200V 55A 205W D1
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:APTGT35SK120D1
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Poids:-
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APTGT35SK120D1G
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 35A
Package composant fournisseur D1
Séries -
Puissance - Max 205W
Package / Boîte D1
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
NTC thermistance No
Type de montage Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant APTGT35SK120D1G
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 2.5nF @ 25V
Contribution Standard
type de IGBT Trench Field Stop
Description élargie IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 55A 205W Chassis Mount D1
La description IGBT 1200V 55A 205W D1
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 5mA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 55A
Configuration Single

Autres

Emballage normal 1

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