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APTGT50DH120T3G

EXSHINE Modèle de produit:EX-APTGT50DH120T3G
Fabricant Modèle de produit:APTGT50DH120T3G
Fabricant / Marque:Microsemi
Brève description:MOD IGBT 1200V 75A SP3
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:APTGT50DH120T3G
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APTGT50DH120T3G
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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Package composant fournisseur SP3
Séries -
Puissance - Max 277W
Package / Boîte SP3
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
NTC thermistance Yes
Type de montage Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 22 Weeks
Référence fabricant APTGT50DH120T3G
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 3.6nF @ 25V
Contribution Standard
type de IGBT Trench Field Stop
Description élargie IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1200V 75A 277W Chassis Mount SP3
La description MOD IGBT 1200V 75A SP3
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 250µA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 75A
Configuration Asymmetrical Bridge

Autres

Emballage normal 1

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