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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > APTM100DA18CT1G
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APTM100DA18CT1G
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-APTM100DA18CT1G |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | APTM100DA18CT1G |
| Fabricant / Marque: | Microsemi |
| Brève description: | MOSFET N-CH 1000V 40A SP1 |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | APTM100DA18CT1G |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
APTM100DA18CT1G
En stock: 66305 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
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Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
|---|---|
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | SP1 |
| Séries | POWER MOS 8™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 216 mOhm @ 33A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 657W (Tc) |
| Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | SP1 |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant | APTM100DA18CT1G |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 14800pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 570nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Description élargie | N-Channel 1000V (1kV) 40A 657W (Tc) Chassis Mount SP1 |
| Tension drain-source (Vdss) | 1000V (1kV) |
| La description | MOSFET N-CH 1000V 40A SP1 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 40A |
Autres
| Emballage normal | 1 |
|---|
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EMS EXPRESS Délai de livraison: 7-10 jours. |
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Distributeur de Microsemi Corporation
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