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APTM20DHM16T3G

EXSHINE Modèle de produit:EX-APTM20DHM16T3G
Fabricant Modèle de produit:APTM20DHM16T3G
Fabricant / Marque:Microsemi
Brève description:MOSFET 2N-CH 200V 104A SP3
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:APTM20DHM16T3G
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APTM20DHM16T3G
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Package composant fournisseur SP3
Séries POWER MOS 7®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 52A, 10V
Puissance - Max 390W
Emballage Bulk
Package / Boîte SP3
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 22 Weeks
Référence fabricant APTM20DHM16T3G
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7220pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 10V
type de FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Fonction FET Standard
Description élargie Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 200V 104A 390W Chassis Mount SP3
Tension drain-source (Vdss) 200V
La description MOSFET 2N-CH 200V 104A SP3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 104A

Autres

Emballage normal 1

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