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EXSHINE Modèle de produit: | EX-APTM60H23FT1G |
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Fabricant Modèle de produit: | APTM60H23FT1G |
Fabricant / Marque: | Microsemi |
Brève description: | MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1 |
État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Condition: | New and unused, Original |
Datasheet Télécharger: | APTM60H23UT1GPower Products Catalog |
Application: | - |
Poids: | - |
Remplacement alternatif: | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
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Package composant fournisseur | SP1 |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 276 mOhm @ 17A, 10V |
Puissance - Max | 208W |
Emballage | Bulk |
Package / Boîte | SP1 |
Autres noms | APTM60H23UT1G APTM60H23UT1G-ND |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 22 Weeks |
Référence fabricant | APTM60H23FT1G |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5316pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 165nC @ 10V |
type de FET | 4 N-Channel (H-Bridge) |
Fonction FET | Standard |
Description élargie | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 20A 208W Chassis Mount SP1 |
Tension drain-source (Vdss) | 600V |
La description | MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 20A |
Autres noms | APTM60H23UT1G APTM60H23UT1G-ND |
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Emballage normal | 1 |
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T / T (virement bancaire) Réception: 1-4 jours. |
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