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JAN2N3637
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-JAN2N3637 |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | JAN2N3637 |
| Fabricant / Marque: | Microsemi |
| Brève description: | TRANS PNP 175V 1A |
| État sans plomb / État RoHS: | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | 2N3634-37(L,UB) |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
JAN2N3637
En stock: 45320 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
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Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 175V |
|---|---|
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
| Transistor Type | PNP |
| Package composant fournisseur | TO-39 |
| Séries | Military, MIL-PRF-19500/357 |
| Puissance - Max | 1W |
| Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Autres noms | 1086-20890 1086-20890-MIL |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 23 Weeks |
| Référence fabricant | JAN2N3637 |
| Fréquence - Transition | - |
| Description élargie | Bipolar (BJT) Transistor PNP 175V 1A 1W Through Hole TO-39 |
| La description | TRANS PNP 175V 1A |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 10V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 10µA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 1A |
Autres
| Autres noms | 1086-20890 1086-20890-MIL |
|---|---|
| Emballage normal | 1 |
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Distributeur de Microsemi Corporation
- Micro / sys propose une large gamme de processeurs, allant d’ordinateurs économiques basés sur le 80C188 aux centrales de Pentium, en passant par les produits périphériques et d’E / S.
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