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JANTX1N6641US

EXSHINE Modèle de produit:EX-JANTX1N6641US
Fabricant Modèle de produit:JANTX1N6641US
Fabricant / Marque:Microsemi
Brève description:DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF
État sans plomb / État RoHS:Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:1N6639-41US
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
JANTX1N6641US
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Paramètre du produit

Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.1V @ 300mA
Tension - inverse (Vr) (max) 50V
Package composant fournisseur D-5B
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries Military, MIL-PRF-19500/609
Temps de recouvrement inverse (trr) 5ns
Emballage Bulk
Package / Boîte SQ-MELF, B
Autres noms 1086-20019
1086-20019-MIL
Température d'utilisation - Jonction -65°C ~ 175°C
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 12 Weeks
Référence fabricant JANTX1N6641US
Description élargie Diode Standard 50V 300mA (DC) Surface Mount D-5B
Type de diode Standard
La description DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF
Courant - fuite, inverse à Vr 100µA @ 50V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 300mA (DC)
Capacité à Vr, F -

Autres

Emballage normal 1
Autres noms 1086-20019

1086-20019-MIL

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