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JANTXV1N5554US

EXSHINE Modèle de produit:EX-JANTXV1N5554US
Fabricant Modèle de produit:JANTXV1N5554US
Fabricant / Marque:Microsemi
Brève description:DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF
État sans plomb / État RoHS:Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:1N5550US thru 1N5554US
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
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JANTXV1N5554US
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.3V @ 9A
Tension - inverse (Vr) (max) 1000V (1kV)
Package composant fournisseur D-5B
La vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Séries Military, MIL-PRF-19500/420
Temps de recouvrement inverse (trr) 2µs
Emballage Bulk
Package / Boîte SQ-MELF, B
Autres noms 1086-19418
1086-19418-MIL
Température d'utilisation - Jonction -65°C ~ 175°C
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 14 Weeks
Référence fabricant JANTXV1N5554US
Description élargie Diode Standard 1000V (1kV) 3A Surface Mount D-5B
Type de diode Standard
La description DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF
Courant - fuite, inverse à Vr 1µA @ 1000V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 3A
Capacité à Vr, F -

Autres

Autres noms 1086-19418

1086-19418-MIL
Emballage normal 1

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