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EXSHINE Modèle de produit: | EX-JANTXV1N5621 |
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Fabricant Modèle de produit: | JANTXV1N5621 |
Fabricant / Marque: | Microsemi |
Brève description: | DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL |
État sans plomb / État RoHS: | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
Condition: | New and unused, Original |
Datasheet Télécharger: | 1N5615 - 1N5623 |
Application: | - |
Poids: | - |
Remplacement alternatif: | - |
Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1.6V @ 3A |
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Tension - inverse (Vr) (max) | 800V |
La vitesse | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Séries | Military, MIL-PRF-19500/429 |
Temps de recouvrement inverse (trr) | 300ns |
Emballage | Bulk |
Package / Boîte | A, Axial |
Autres noms | 1086-2833 1086-2833-MIL |
Température d'utilisation - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 14 Weeks |
Référence fabricant | JANTXV1N5621 |
Description élargie | Diode Standard 800V 1A Through Hole |
Type de diode | Standard |
La description | DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL |
Courant - fuite, inverse à Vr | 500nA @ 800V |
Courant - Rectifié moyenne (Io) | 1A |
Capacité à Vr, F | 20pF @ 12V, 1MHz |
Emballage normal | 1 |
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Autres noms | 1086-2833 1086-2833-MIL |
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T / T (virement bancaire) Réception: 1-4 jours. |
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