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JANTXV1N5621

EXSHINE Modèle de produit:EX-JANTXV1N5621
Fabricant Modèle de produit:JANTXV1N5621
Fabricant / Marque:Microsemi
Brève description:DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
État sans plomb / État RoHS:Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:1N5615 - 1N5623
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
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JANTXV1N5621
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.6V @ 3A
Tension - inverse (Vr) (max) 800V
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries Military, MIL-PRF-19500/429
Temps de recouvrement inverse (trr) 300ns
Emballage Bulk
Package / Boîte A, Axial
Autres noms 1086-2833
1086-2833-MIL
Température d'utilisation - Jonction -65°C ~ 175°C
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 14 Weeks
Référence fabricant JANTXV1N5621
Description élargie Diode Standard 800V 1A Through Hole
Type de diode Standard
La description DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
Courant - fuite, inverse à Vr 500nA @ 800V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 1A
Capacité à Vr, F 20pF @ 12V, 1MHz

Autres

Emballage normal 1
Autres noms 1086-2833

1086-2833-MIL

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