MMZ25332BT1

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MMZ25332BT1

EXSHINE Modèle de produit:EX-MMZ25332BT1
Fabricant Modèle de produit:MMZ25332BT1
Fabricant / Marque:NXP Semiconductors / Freescale
Brève description:IC AMP HBT INGAP 12QFN
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:MMZ25332BT1
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Poids:-
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MMZ25332BT1
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Paramètre du produit

Tension - Alimentation 3 V ~ 5 V
Fréquence de test 2.5GHz
Package composant fournisseur 12-QFN (3x3)
Séries -
type de RF LTE, TDS-CDMA, W-CDMA
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 12-VFQFN Exposed Pad
P1dB 33dBm
Autres noms 935317631167
MMZ25332BT1-ND
MMZ25332BT1TR
Noise Figure 5.8dB
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant MMZ25332BT1
Gain 26.5dB
La fréquence 1.8GHz ~ 2.8GHz
Description élargie RF Amplifier IC LTE, TDS-CDMA, W-CDMA 1.8GHz ~ 2.8GHz 12-QFN (3x3)
La description IC AMP HBT INGAP 12QFN
Offre actuelle 390mA

Autres

Autres noms 935317631167

MMZ25332BT1-ND

MMZ25332BT1TR
Emballage normal 1,000

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Distributeur de NXP USA Inc.

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