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PHT8N06LT,135

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PHT8N06LT,135

EXSHINE Modèle de produit:EX-PHT8N06LT,135
Fabricant Modèle de produit:PHT8N06LT,135
Fabricant / Marque:NXP Semiconductors / Freescale
Brève description:MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:PHT8N06LT
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
PHT8N06LT,135
En stock: 94235 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur SOT-223
Séries TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 5A, 5V
Dissipation de puissance (max) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA
Autres noms 568-7369-2
934054610135
PHT8N06LT /T3
PHT8N06LT /T3-ND
PHT8N06LT,135-ND
PHT8N06LT135
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant PHT8N06LT,135
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11.2nC @ 5V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 55V 3.5A (Ta) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount SOT-223
Tension drain-source (Vdss) 55V
La description MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A (Ta)

Autres

Emballage normal 4,000
Autres noms 568-7369-2

934054610135

PHT8N06LT /T3

PHT8N06LT /T3-ND

PHT8N06LT,135-ND

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Distributeur de NXP USA Inc.

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