PSMN023-80LS,115

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PSMN023-80LS,115

EXSHINE Modèle de produit:EX-PSMN023-80LS,115
Fabricant Modèle de produit:PSMN023-80LS,115
Fabricant / Marque:NXP Semiconductors / Freescale
Brève description:MOSFET N-CH 80V 34A QFN3333
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:PSMN023-80LS
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PSMN023-80LS,115
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (max) 65W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-VDFN Exposed Pad
Autres noms 568-5583-2
934064653115
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant PSMN023-80LS,115
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1295pF @ 40V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 80V 34A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Tension drain-source (Vdss) 80V
La description MOSFET N-CH 80V 34A QFN3333
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 34A (Tc)

Autres

Emballage normal 1,400
Autres noms 568-5583-2

934064653115

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