DME914C10R

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DME914C10R

EXSHINE Modèle de produit:EX-DME914C10R
Fabricant Modèle de produit:DME914C10R
Fabricant / Marque:Panasonic
Brève description:TRANS NPN PREBIAS/PNP SSMINI6
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:DME914C10R
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DME914C10R
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V, 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Transistor Type 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Package composant fournisseur SSMini6-F3-B
Séries -
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Puissance - Max 125mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SOT-563, SOT-666
Autres noms DME914C10R-ND
DME914C10RTR
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 11 Weeks
Référence fabricant DME914C10R
Fréquence - Transition 300MHz
Description élargie Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 300MHz 125mW Surface Mount SSMini6-F3-B
La description TRANS NPN PREBIAS/PNP SSMINI6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA, 500mA

Autres

Autres noms DME914C10R-ND

DME914C10RTR
Emballage normal 8,000

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