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DMG214010R

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DMG214010R

EXSHINE Modèle de produit:EX-DMG214010R
Fabricant Modèle de produit:DMG214010R
Fabricant / Marque:Panasonic
Brève description:TRANS PNP PREBIAS/NPN 0.3W MINI6
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:DMG214010R
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
DMG214010R
En stock: 54879000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Transistor Type 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN
Package composant fournisseur Mini6-G4-B
Séries -
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 4.7k
Resistor - Base (R1) (Ohms) -
Puissance - Max 300mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SOT-23-6
Autres noms DMG214010R-ND
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant DMG214010R
Fréquence - Transition 150MHz
Description élargie Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN 50V 100mA 150MHz 300mW Surface Mount Mini6-G4-B
La description TRANS PNP PREBIAS/NPN 0.3W MINI6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 5mA, 10V / 210 @ 2mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA, 100µA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA

Autres

Emballage normal 3,000
Autres noms DMG214010R-ND

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