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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > DRA2522J0L
DRA2522J0L

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DRA2522J0L

EXSHINE Modèle de produit:EX-DRA2522J0L
Fabricant Modèle de produit:DRA2522J0L
Fabricant / Marque:Panasonic
Brève description:TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:DRA2522J0L
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
DRA2522J0L
En stock: 23629000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 100mA
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur Mini3-G3-B
Séries -
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 5k
Resistor - Base (R1) (Ohms) 270
Puissance - Max 200mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms DRA2522J0L-ND
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant DRA2522J0L
Fréquence - Transition -
Description élargie Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200mW Surface Mount Mini3-G3-B
La description TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 100mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 500mA

Autres

Emballage normal 3,000
Autres noms DRA2522J0L-ND

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Distributeur de Panasonic Electronic Components

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