UNR211M00L

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UNR211M00L

EXSHINE Modèle de produit:EX-UNR211M00L
Fabricant Modèle de produit:UNR211M00L
Fabricant / Marque:Panasonic
Brève description:TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
État sans plomb / État RoHS:Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:UNR211x Series
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
UNR211M00L
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur Mini3-G1
Séries -
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Puissance - Max 200mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms UN211M-(TX)
UN211M-TX
UN211MTR
UN211MTR-ND
UNR211M00LTR
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant UNR211M00L
Fréquence - Transition 80MHz
Description élargie Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 200mW Surface Mount Mini3-G1
La description TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA

Autres

Emballage normal 3,000
Autres noms UN211M-(TX)

UN211M-TX

UN211MTR

UN211MTR-ND

UNR211M00LTR

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