UNR411F00A

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UNR411F00A

EXSHINE Modèle de produit:EX-UNR411F00A
Fabricant Modèle de produit:UNR411F00A
Fabricant / Marque:Panasonic
Brève description:TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
État sans plomb / État RoHS:Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:UNR411x Series
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
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UNR411F00A
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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur NS-B1
Séries -
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Puissance - Max 300mW
Emballage Cut Tape (CT)
Package / Boîte NS-B1
Autres noms UNR411F00ACT
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant UNR411F00A
Fréquence - Transition 80MHz
Description élargie Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 300mW Through Hole NS-B1
La description TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA

Autres

Autres noms UNR411F00ACT
Emballage normal 1

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