RFD22102

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RFD22102

EXSHINE Modèle de produit:EX-RFD22102
Fabricant Modèle de produit:RFD22102
Fabricant / Marque:RF Digital
Brève description:RF TXRX MOD BLUETOOTH CHIP ANT
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:Rfduino DatasheetRfduino Quickstart Guide
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
RFD22102
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - Alimentation 2.1 V ~ 3.6 V
Séries -
Interfaces série -
Sensibilité -
RF Family / Standard Bluetooth
Protocole Bluetooth v4.0
Alimentation - sortie 0dBm
Emballage Bulk
Package / Boîte Module
Autres noms 1562-1000
Température de fonctionnement -
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Modulation -
Taille mémoire -
Délai de livraison standard du fabricant 8 Weeks
Référence fabricant RFD22102
La fréquence 2.4GHz
La description RF TXRX MOD BLUETOOTH CHIP ANT
Débit de données -
Courant - Émission 12mA
Courant - Réception 12mA
type d'antenne Integrated, Chip

Autres

Autres noms 1562-1000
Emballage normal 1

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Distributeur de RF Digital Corporation

- RFMD®, l’un des principaux fournisseurs de circuits RFIC, propose une vaste gamme de produits comprenant des blocs de gain, des pré-drivers, des drivers, des LNA, des modulateurs directs, des démodulateurs et des transistors de puissance pour les infrastructures sans fil et les applications CATV.
Nos produits, tous conformes à la directive RoHS et sans plomb, offrent la linéarité et les performances large bande les plus élevées requises par les normes d'infrastructure sans fil, tout en accordant une attention particulière aux performances et à la fiabilité thermiques pour garantir que nos produits répondent aux normes strictes de l'industrie. Notre série RF386X d'amplificateurs à faible bruit (LNA) GaAs pHEMT offre des performances large bande (380 MHz - 3800 MHz), d'excellentes performances IP3 à faible bruit, gain élevé et rendement élevé. La feuille de route de l’infrastructure de RFMD comprend également la commercialisation de transistors à haute puissance et d’amplificateurs à large bande au nitrure de gallium (GaN).

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