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NP35N04YUG-E1-AY

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NP35N04YUG-E1-AY

EXSHINE Modèle de produit:EX-NP35N04YUG-E1-AY
Fabricant Modèle de produit:NP35N04YUG-E1-AY
Fabricant / Marque:Renesas Electronics America
Brève description:MOSFET N-CH 40V 35A 8HSON
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:NP35N04YUG
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
NP35N04YUG-E1-AY
En stock: 84035000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 8-HSON
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 17.5A, 10V
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta), 77W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Autres noms NP35N04YUG-E1-AY-ND
NP35N04YUG-E1-AYTR
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 16 Weeks
Référence fabricant NP35N04YUG-E1-AY
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2850pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 54nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 40V 35A (Tc) 1W (Ta), 77W (Tc) Surface Mount 8-HSON
Tension drain-source (Vdss) 40V
La description MOSFET N-CH 40V 35A 8HSON
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 35A (Tc)

Autres

Autres noms NP35N04YUG-E1-AY-ND

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Emballage normal 2,500

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- RF Digital fabrique une gamme complète de modules configurables d'émetteur, de récepteur et d'émetteur-récepteur RF sans fil, adaptés à presque tous les types d'applications. Les modules sont entièrement intégrés, de haute qualité et à faible coût pour profiter à toutes les applications. La gamme de produits RFDuino propose une vaste gamme de modules, notamment un capteur, une clé USB, des boucliers de protection et autres, pour tester la technologie Bluetooth Low Energy dans un environnement prototype prêt à l'emploi.

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