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EXSHINE Modèle de produit: | EX-RJM0603JSC-00#12 |
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Fabricant Modèle de produit: | RJM0603JSC-00#12 |
Fabricant / Marque: | Renesas Electronics America |
Brève description: | MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP |
État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Condition: | New and unused, Original |
Datasheet Télécharger: | RJM0603JSC |
Application: | - |
Poids: | - |
Remplacement alternatif: | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
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Package composant fournisseur | 20-HSOP |
Séries | Automotive, AEC-Q101 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 10A, 10V |
Puissance - Max | 54W |
Emballage | Tray |
Package / Boîte | 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad |
Température de fonctionnement | 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant | RJM0603JSC-00#12 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 10V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
type de FET | 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) |
Fonction FET | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
Description élargie | Mosfet Array 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 60V 20A 54W Surface Mount 20-HSOP |
Tension drain-source (Vdss) | 60V |
La description | MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 20A |
Emballage normal | 700 |
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