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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - tableaux > UPA2373T1P-E4-A
UPA2373T1P-E4-A

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UPA2373T1P-E4-A

EXSHINE Modèle de produit:EX-UPA2373T1P-E4-A
Fabricant Modèle de produit:UPA2373T1P-E4-A
Fabricant / Marque:Renesas Electronics America
Brève description:MOSFET 2N-CH 24V
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:UPA2373T1P
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
UPA2373T1P-E4-A
En stock: 22490000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id -
Package composant fournisseur 4-EFLIP-LGA (1.62x1.62)
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Puissance - Max 1.3W
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 4-XFBGA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 16 Weeks
Référence fabricant UPA2373T1P-E4-A
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4V
type de FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Fonction FET Logic Level Gate, 2.5V Drive
Description élargie Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 1.3W Surface Mount 4-EFLIP-LGA (1.62x1.62)
Tension drain-source (Vdss) -
La description MOSFET 2N-CH 24V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C -

Autres

Emballage normal 5,000

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Distributeur de Renesas Electronics America

- RF Digital fabrique une gamme complète de modules configurables d'émetteur, de récepteur et d'émetteur-récepteur RF sans fil, adaptés à presque tous les types d'applications. Les modules sont entièrement intégrés, de haute qualité et à faible coût pour profiter à toutes les applications. La gamme de produits RFDuino propose une vaste gamme de modules, notamment un capteur, une clé USB, des boucliers de protection et autres, pour tester la technologie Bluetooth Low Energy dans un environnement prototype prêt à l'emploi.

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