- Changer de langue
-
Choisir la langue
English简体中文русский日本語한국의PortuguêsItaliaFrançaisDeutschpolskiภาษาไทยespañolالعربيةPilipinoNederlandČeštinaKongeriketSvenskaΕλλάδαMagyarországTiếng ViệtIndonesiaAnnuler
- Mon compte
- Mon compte Connectez - Out
Photo pour référence seulement Contactez-nous pour plus d'images
STH3N150-2
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-STH3N150-2 |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | STH3N150-2 |
| Fabricant / Marque: | STMicroelectronics |
| Brève description: | MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK-2 |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | STx3N150 |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
En stock: 88830 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±30V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | H²PAK |
| Séries | PowerMESH™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 Ohm @ 1.3A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 140W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant |
| Autres noms | 497-13876-2 |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 18 Weeks |
| Référence fabricant | STH3N150-2 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 939pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 29.3nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Description élargie | N-Channel 1500V (1.5kV) 2.5A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount H²PAK |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 1500V (1.5kV) |
| La description | MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK-2 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 2.5A (Tc) |
Autres
| Autres noms | 497-13876-2 |
|---|---|
| Emballage normal | 1,000 |
|
|
T / T (virement bancaire) Réception: 1-4 jours. |
|
|
Pay Pal Réception: immédiatement. |
|
|
Western union Réception: 1-2 heures. |
|
|
MoneyGram Réception: 1-2 heures. |
|
|
Alipay Réception: immédiatement. |
 |
DHL EXPRESS Délai de livraison: 1-3 jours. |
 |
FEDEX EXPRESS Délai de livraison: 1-3 jours. |
 |
UPS EXPRESS Délai de livraison: 2-4 jours. |
 |
TNT EXPRESS Délai de livraison: 3-6 jours. |
 |
EMS EXPRESS Délai de livraison: 7-10 jours. |
Produit connexe
-
ImageMfg. Numéro de pièceFabricantBrève descriptionFiche techniqueEn stockPrix de l'articleCommander en ligne -
STH410N4F7-6AGSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V H2PAK-6TéléchargerVueUS$ 2.793Enquête -
STH320N4F6-2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2TéléchargerVueUS$ 3.232Enquête -
STH315N10F7-6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6TéléchargerVueUS$ 3.025Enquête -
STH33N20FIORIGINALSTH33N20FI ORIGINAL SMD or Through Hole New in stockVueEnquête -
STH4010SHNew Stocks STH4010 SH MSOP-8WCSP9VueEnquête -
STH310SHBNew Stocks STH310S HB DO41VueEnquête -
STH410N4F7-2AGSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V H2PAK-2TéléchargerVueUS$ 3.232Enquête -
STH320N4F6-6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6TéléchargerVueUS$ 3.303Enquête -
STH360N4F6-2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2TéléchargerVueUS$ 5.081Enquête -
STH36N06(L)STLow Price STH36N06(L) ST SMD or Through HoleVueEnquête -
STH33N20STSTH33N20 ST TO-3P New Original StocksVueEnquête -
STH400N4F6-2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2TéléchargerVueUS$ 5.472Enquête -
STH4100-6N/ASTH4100-6 N/A SOJ20 New in stockVueEnquête -
STH409STNew Stocks STH409 ST QFNVueEnquête -
STH40N10FISTNew Stocks STH40N10FI ST SMD or Through HoleVueEnquête -
STH35N10SERTECHSTH35N10 TO-3 Original Package StockVueEnquête -
STH3NB60FISTLow Price STH3NB60FI ST TO-3PVueEnquête -
STH315N10F7-2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2TéléchargerVueUS$ 3.695Enquête -
STH4100-6/AR51410BZDSTH4100-6/AR51410 BZD SOP20 New in stockVueEnquête -
STH400N4F6-6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6TéléchargerVueUS$ 3.052Enquête
Distributeur de STMicroelectronics
- Storm Interface - L’objectif de la société: développer, fabriquer et commercialiser des dispositifs de saisie de données robustes et réactifs destinés à une large gamme d’applications industrielles et publiques.
Keymat Technology Ltd. a été créée en mars 1986 en tant que société privée enregistrée au Royaume-Uni. Son siège est situé dans ses propres locaux en pleine propriété, à l'ouest de Londres, à seulement six kilomètres au nord de l'aéroport d'Heathrow. La division de production «Storm Manufacturing» de la société est basée à Maldon, sur la côte est de l’Angleterre, et sa division de vente en Amérique du Nord, à Glen Ellyn, dans l’Illinois, juste à l’extérieur de Chicago.
Les principales technologies de commutation développées par la société sont protégées par des brevets internationaux et des demandes de brevet. Ces technologies continuent à être développées et intégrées dans de nouveaux produits innovants pour compléter et compléter la gamme de produits établie.
Cette stratégie de développement continu a permis à la société de commercialiser une gamme plus large de produits de saisie de données sous une seule marque puissante «STORM». Ce sont des produits de marque haut de gamme reflétant les normes techniques et de performance rigoureuses exigées par les environnements militaire, médical, industriel et public.