- Changer de langue
-
Choisir la langue
English简体中文русский日本語한국의PortuguêsItaliaFrançaisDeutschpolskiภาษาไทยespañolالعربيةPilipinoNederlandČeštinaKongeriketSvenskaΕλλάδαMagyarországTiếng ViệtIndonesiaAnnuler
- Mon compte
- Mon compte Connectez - Out
Photo pour référence seulement Contactez-nous pour plus d'images
STW65N65DM2AG
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-STW65N65DM2AG |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | STW65N65DM2AG |
| Fabricant / Marque: | STMicroelectronics |
| Brève description: | MOSFET N-CH 650V 60A |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | STW65N65DM2AG |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
En stock: 28120 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±25V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-247 |
| Séries | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 30A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 446W (Tc) |
| Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-247-3 |
| Autres noms | 497-16127-5 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 24 Weeks |
| Référence fabricant | STW65N65DM2AG |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5500pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Description élargie | N-Channel 650V 60A (Tc) 446W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 650V |
| La description | MOSFET N-CH 650V 60A |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 60A (Tc) |
Autres
| Autres noms | 497-16127-5 |
|---|---|
| Emballage normal | 30 |
|
|
T / T (virement bancaire) Réception: 1-4 jours. |
|
|
Pay Pal Réception: immédiatement. |
|
|
Western union Réception: 1-2 heures. |
|
|
MoneyGram Réception: 1-2 heures. |
|
|
Alipay Réception: immédiatement. |
 |
DHL EXPRESS Délai de livraison: 1-3 jours. |
 |
FEDEX EXPRESS Délai de livraison: 1-3 jours. |
 |
UPS EXPRESS Délai de livraison: 2-4 jours. |
 |
TNT EXPRESS Délai de livraison: 3-6 jours. |
 |
EMS EXPRESS Délai de livraison: 7-10 jours. |
Produit connexe
-
ImageMfg. Numéro de pièceFabricantBrève descriptionFiche techniqueEn stockPrix de l'articleCommander en ligne -
STW60N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 46A TO-247TéléchargerVueUS$ 9.309Enquête -
STW62N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V TO-247TéléchargerVueUS$ 9.774Enquête -
STW60N10FISTSTW60N10FI TO-3PF Original Package StockVueEnquête -
STW6NA60STSTW6NA60 TO-3P Original Package StockVueEnquête -
STW62NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 65A TO-247TéléchargerVueUS$ 14.377Enquête -
STW6N90STSTW6N90 TO-247 Original Package StockVueEnquête -
STW69N65M5-4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 58A TO-247-4TéléchargerVueUS$ 14.685Enquête -
STW60NE10STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 60A TO-247TéléchargerVueEnquête -
STW6N90K5STMicroelectronicsN-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3TéléchargerVueUS$ 1.551Enquête -
STW6N100STSTW6N100 TO-3P Original Package StockVueEnquête -
STW6N120K3STMicroelectronicsMOSFET N-CH 1200V 6A TO-247TéléchargerVueUS$ 3.293Enquête -
STW60NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N CH 500V 68A TO-247TéléchargerVueUS$ 13.949Enquête -
STW65N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 46ATéléchargerVueUS$ 9.135Enquête -
STW6N95K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 950V 9A TO-274TéléchargerVueUS$ 2.125Enquête -
STW6110ATRSTSTW6110ATR QFN Original Package StockVueEnquête -
STW6N100EORIGINALSTW6N100E SMD or Through Hole Original Package StockVueEnquête -
STW60NM10STSTW60NM10 ST TO-247 New in stockVueEnquête -
STW69N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 58A TO-247TéléchargerVueUS$ 15.215Enquête -
STW60N10F1STSTW60N10F1 TO-247 Original Package StockVueEnquête -
STW60N10ESTSTW60N10E ST TO3P New in stockVueEnquête
Distributeur de STMicroelectronics
- Storm Interface - L’objectif de la société: développer, fabriquer et commercialiser des dispositifs de saisie de données robustes et réactifs destinés à une large gamme d’applications industrielles et publiques.
Keymat Technology Ltd. a été créée en mars 1986 en tant que société privée enregistrée au Royaume-Uni. Son siège est situé dans ses propres locaux en pleine propriété, à l'ouest de Londres, à seulement six kilomètres au nord de l'aéroport d'Heathrow. La division de production «Storm Manufacturing» de la société est basée à Maldon, sur la côte est de l’Angleterre, et sa division de vente en Amérique du Nord, à Glen Ellyn, dans l’Illinois, juste à l’extérieur de Chicago.
Les principales technologies de commutation développées par la société sont protégées par des brevets internationaux et des demandes de brevet. Ces technologies continuent à être développées et intégrées dans de nouveaux produits innovants pour compléter et compléter la gamme de produits établie.
Cette stratégie de développement continu a permis à la société de commercialiser une gamme plus large de produits de saisie de données sous une seule marque puissante «STORM». Ce sont des produits de marque haut de gamme reflétant les normes techniques et de performance rigoureuses exigées par les environnements militaire, médical, industriel et public.