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CSD13302W
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-CSD13302W |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | CSD13302W |
| Fabricant / Marque: | Texas Instruments |
| Brève description: | MOSFET N-CH 12V 1.6A |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | 1 |
| Datasheet Télécharger: | CSD13302W |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
CSD13302W
En stock: 70104000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
En stock: 70104000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
|---|---|
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 4-DSBGA |
| Séries | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.1 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max) | 1.8W (Ta) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 4-UFBGA, DSBGA |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 12 Weeks |
| Référence fabricant | CSD13302W |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 862pF @ 6V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8nC @ 4.5V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Description élargie | N-Channel 12V 1.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA |
| Tension drain-source (Vdss) | 12V |
| La description | MOSFET N-CH 12V 1.6A |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 1.6A (Ta) |
Autres
| Emballage normal | 3,000 |
|---|
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