CSD17308Q3T

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CSD17308Q3T

EXSHINE Modèle de produit:EX-CSD17308Q3T
Fabricant Modèle de produit:CSD17308Q3T
Fabricant / Marque:Texas Instruments
Brève description:MOSFET N-CH 30V 50A
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:CSD17308Q3T
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CSD17308Q3T
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA
Vgs (Max) +10V, -8V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 8-VSON (3.3x3.3)
Séries NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.3 mOhm @ 10A, 8V
Dissipation de puissance (max) 2.7W (Ta), 28W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-PowerTDFN
Autres noms 296-44075-2
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 12 Weeks
Référence fabricant CSD17308Q3T
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.1nC @ 4.5V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 30V 14A (Ta), 44A (Tc) 2.7W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 3V, 8V
Tension drain-source (Vdss) 30V
La description MOSFET N-CH 30V 50A
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Ta), 44A (Tc)

Autres

Emballage normal 250
Autres noms 296-44075-2

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