CSD18531Q5AT

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CSD18531Q5AT

EXSHINE Modèle de produit:EX-CSD18531Q5AT
Fabricant Modèle de produit:CSD18531Q5AT
Fabricant / Marque:Texas Instruments
Brève description:MOSFET N-CH 60V 100A 8SON
État sans plomb / État RoHS:Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:1
Datasheet Télécharger:CSD18531Q5AT
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Poids:-
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 8-VSONP (5x6)
Séries NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6 mOhm @ 22A, 10V
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 156W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-PowerTDFN
Autres noms 296-41958-2
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 7 Weeks
Référence fabricant CSD18531Q5AT
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3840pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 60V 100A (Ta) 3.1W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 60V
La description MOSFET N-CH 60V 100A 8SON
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Ta)

Autres

Emballage normal 250
Autres noms 296-41958-2

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