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CSD18536KTT
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-CSD18536KTT |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | CSD18536KTT |
| Fabricant / Marque: | Texas Instruments |
| Brève description: | MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK |
| État sans plomb / État RoHS: | Contient du plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | 1 |
| Datasheet Télécharger: | CSD18536KTT |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
CSD18536KTT
En stock: 76470 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | DDPAK/TO-263-3 |
| Séries | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 mOhm @ 100A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 375W (Tc) |
| Emballage | Original-Reel® |
| Package / Boîte | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| Autres noms | 296-44967-6 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 2 (1 Year) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 6 Weeks |
| Référence fabricant | CSD18536KTT |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 11430pF @ 30V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Description élargie | N-Channel 60V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3 |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 60V |
| La description | MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 200A (Ta) |
Autres
| Emballage normal | 1 |
|---|---|
| Autres noms | 296-44967-6 |
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EMS EXPRESS Délai de livraison: 7-10 jours. |
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