CSD19531KCS

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CSD19531KCS

EXSHINE Modèle de produit:EX-CSD19531KCS
Fabricant Modèle de produit:CSD19531KCS
Fabricant / Marque:Texas Instruments
Brève description:MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
État sans plomb / État RoHS:Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Condition:1
Datasheet Télécharger:CSD19531KCS
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Poids:-
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Disponibilité en temps réel pour
CSD19531KCS
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Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 3.3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220-3
Séries NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.7 mOhm @ 60A, 10V
Dissipation de puissance (max) 214W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-3
Autres noms 296-37480-5
CSD19531KCS-ND
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 6 Weeks
Référence fabricant CSD19531KCS
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3870pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 100V 100A (Ta) 214W (Tc) Through Hole TO-220-3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 100V
La description MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Ta)

Autres

Autres noms 296-37480-5

CSD19531KCS-ND
Emballage normal 50

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