CSD25404Q3T

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CSD25404Q3T

EXSHINE Modèle de produit:EX-CSD25404Q3T
Fabricant Modèle de produit:CSD25404Q3T
Fabricant / Marque:Texas Instruments
Brève description:MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
État sans plomb / État RoHS:Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:1
Datasheet Télécharger:CSD25404Q3T
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
CSD25404Q3T
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 1.15V @ 250µA
Vgs (Max) ±12V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 8-VSON (3.3x3.3)
Séries NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 10A, 4.5V
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta), 96W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-PowerVDFN
Autres noms 296-43210-2
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 12 Weeks
Référence fabricant CSD25404Q3T
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2120pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14.1nC @ 4.5V
type de FET P-Channel
Fonction FET -
Description élargie P-Channel 20V 104A (Tc) 2.8W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 20V
La description MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 104A (Tc)

Autres

Autres noms 296-43210-2
Emballage normal 250

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