CSD88539NDT

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CSD88539NDT

EXSHINE Modèle de produit:EX-CSD88539NDT
Fabricant Modèle de produit:CSD88539NDT
Fabricant / Marque:Texas Instruments
Brève description:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:CSD88539NDT
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CSD88539NDT
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 3.6V @ 250µA
Package composant fournisseur 8-SO
Séries NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28 mOhm @ 5A, 10V
Puissance - Max 2.1W
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms 296-37796-2
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 6 Weeks
Référence fabricant CSD88539NDT
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 741pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.4nC @ 10V
type de FET 2 N-Channel (Dual)
Fonction FET Logic Level Gate
Description élargie Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 2.1W Surface Mount 8-SO
Tension drain-source (Vdss) 60V
La description MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A

Autres

Emballage normal 250
Autres noms 296-37796-2

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