S'identifier | Créer mon compteCourriel: [email protected] SKYPE: EXSHINECompte | Connectez - Out
Changer de pays
Changer de langue

Choisir la langue

English简体中文русский한국의PortuguêsItaliaFrançaisDeutschpolskiภาษาไทยespañolالعربيةPilipinoNederlandČeštinaKongeriketSvenskaΕλλάδαMagyarországTiếng ViệtIndonesia
Annuler
Chariot
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - tableaux > HN1C01FE-GR,LF
HN1C01FE-GR,LF

Photo pour référence seulement Contactez-nous pour plus d'images

HN1C01FE-GR,LF

EXSHINE Modèle de produit:EX-HN1C01FE-GR,LF
Fabricant Modèle de produit:HN1C01FE-GR,LF
Fabricant / Marque:Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description:TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:HN1C01FE
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
HN1C01FE-GR,LF
En stock: 19129000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

Cliquez ci-dessous pour commander HN1C01FE-GR,LF en ligne

US$ 0.065

Prix ​​de marketing de référence: US$ 0.065

Notre meilleur prix: N/A (Email us)

Le minimum:1

Multiples:1

4000+:
$0.065
8000+:
$0.059
12000+:
$0.052
28000+:
$0.049
65535+:
$0.042
Demande d'un meilleur prix >
  • La description
  • Paiement
  • livraison
  • Emballage

Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Package composant fournisseur ES6
Séries -
Puissance - Max 100mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SOT-563, SOT-666
Autres noms HN1C01FE-GR (5L,F,T
HN1C01FE-GR(5L,F,T
HN1C01FE-GR(5LFTTR
HN1C01FE-GR(5LFTTR-ND
HN1C01FE-GR,LF(B
HN1C01FE-GR,LF(T
HN1C01FE-GRLFTR
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 16 Weeks
Référence fabricant HN1C01FE-GR,LF
Fréquence - Transition 80MHz
Description élargie Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
La description TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max) 150mA

Autres

Autres noms HN1C01FE-GR (5L,F,T

HN1C01FE-GR(5L,F,T

HN1C01FE-GR(5LFTTR

HN1C01FE-GR(5LFTTR-ND

HN1C01FE-GR,LF(B

HN1C01FE-GR,LF(T

HN1C01FE-GRLFTR
Emballage normal 4,000

Vous pouvez choisir les options de paiement ci-dessous. Veuillez contacter notre équipe commerciale si vous avez des questions.

 T / T (virement bancaire)
 Réception: 1-4 jours.

 Pay Pal
 Réception: immédiatement.

 Western union
 Réception: 1-2 heures.

 MoneyGram
 Réception: 1-2 heures.

 Alipay
 Réception: immédiatement.

Vous pouvez choisir les options d'expédition ci-dessous, contactez notre équipe commerciale pour vérifier les frais d'expédition à votre adresse.
Si vous ne souhaitez pas utiliser notre service d'expédition, vous pouvez également organiser le ramassage à notre entrepôt ou l'expédier par votre compte de messagerie.
 DHL EXPRESS
 Délai de livraison: 1-3 jours.
 FEDEX EXPRESS
 Délai de livraison: 1-3 jours.
 UPS EXPRESS
 Délai de livraison: 2-4 jours.
 TNT EXPRESS
 Délai de livraison: 3-6 jours.
 EMS EXPRESS
 Délai de livraison: 7-10 jours.

Produit connexe

Image Mfg. Numéro de pièce Fabricant Brève description Fiche technique En stock Prix ​​de l'article Commander en ligne
HN1C01FU(XHZ) TOSHIBA HN1C01FU(XHZ) TOSHIBA SOT363 new date code and low price Vue   Enquête
HN1C01FU(T5RSN,F,T TOSHIBA HN1C01FU(T5RSN,F,T TOSHIBA US6 new date code and low price Vue   Enquête
HN1C01F-Y TEL:82766440 TOSHIBA HN1C01F-Y TEL:82766440 TOSHIBA SMD or Through Hole new date code and low price Vue   Enquête
HN1C01FE-GR(T5LF) TOSHIBA HN1C01FE-GR(T5LF) SMD or Through Hole Original Package Stock Vue   Enquête
HN1C01FFU/C1Y TOSHIBA HN1C01FFU/C1Y SOT-363 Original Package Stock Vue   Enquête
HN1C01FU TOSHIBA Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications IC Vue   Enquête
HN1C01F-Y/C1Y TOSHIBA HN1C01F-Y/C1Y SMD or Through Hole Original Package Stock Vue   Enquête
HN1C01FE-Y,LF Image HN1C01FE-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6 Télécharger Vue US$ 0.034 Enquête
HN1C01FGR MODCO/UNKNOWN HN1C01FGR MODCO/UNKNOWN NULL new date code and low price Vue   Enquête
HN1C01F-Y(TE85LF) TOSHIBA HN1C01F-Y(TE85LF) ORIGINAL Original Package Stock Vue   Enquête
HN1C01FE-GR TOSHIBA HN1C01FE-GR SOT423-6 Original Package Stock Vue   Enquête
HN1C01F-Y(TE85R) TOSHIBA HN1C01F-Y(TE85R) TOSHIBA SMD new date code and low price Vue   Enquête
HN1C01FU TEL:82766440 TOSHIBA HN1C01FU TEL:82766440 TOSHIBA SMD or Through Hole new date code and low price Vue   Enquête
HN1C01F-Y TE85L TOSHIBA HN1C01F-Y TE85L TOSHIBA SOT163 new date code and low price Vue   Enquête
HN1C01FU NOPB TOSHIBA HN1C01FU NOPB SOT363 Original Package Stock Vue   Enquête
HN1C01F-Y(C1Y) ORIGINAL HN1C01F-Y(C1Y) SMD or Through Hole Original Package Stock Vue   Enquête
HN1C01F-Y(TE85L) TOSHIBA HN1C01F-Y(TE85L) SOT-163 Original Package Stock Vue   Enquête
HN1C01FE-Y TOSHIBA HN1C01FE-Y SOT-56 Original Package Stock Vue   Enquête
HN1C01FU(T5RSN TOSHIBA HN1C01FU(T5RSN US6 Original Package Stock Vue   Enquête
HN1C01FE TOSHIBA Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications IC Vue   Enquête

Distributeur de Toshiba Semiconductor and Storage

- Touchstone Semiconductor Inc. crée des solutions de circuits intégrés analogiques hautes performances qui résolvent les problèmes critiques des entreprises du secteur de l'électronique. Nos produits propriétaires offrent une combinaison unique de fonctionnalités et de performances que l’on ne peut trouver ailleurs sur le marché de l’analogique. Nos produits de deuxième source sont compatibles avec les broches et leurs spécifications sont identiques à celles des offres concurrentes, offrant une alternative idéale aux produits à fournisseur unique difficiles à sécuriser. Fondée en 2010, Touchstone a son siège à Milpitas, en Californie. Ses investisseurs comprennent Opus Capital et Khosla Ventures.
Notre mission chez Touchstone Semiconductor est de concevoir des circuits intégrés analogiques hautes performances qui vous aident à résoudre les problèmes de vos clients. Pour ce faire, nous développons des circuits intégrés analogiques ultra-basse consommation et haute performance qui réduisent la consommation d'énergie de vos produits.

Recherche

  • Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FE-GR,LF
  • Fiche technique HN1C01FE-GR,LF
  • Fiche technique HN1C01FE-GR,LF
  • Fiche technique HN1C01FE-GR,LF pdf
  • Prix ​​HN1C01FE-GR,LF
  • Image HN1C01FE-GR,LF
  • Acheter HN1C01FE-GR,LF
  • Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FE-GR,LF
  • Toshiba HN1C01FE-GR,LF
  • HN1C01FE
  • HN1C0