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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - RF > HN3C10FUTE85LF
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HN3C10FUTE85LF
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-HN3C10FUTE85LF |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | HN3C10FUTE85LF |
| Fabricant / Marque: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Brève description: | TRANSISTOR NPN US6 |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | HN3C10FUTE85LF |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
HN3C10FUTE85LF
En stock: 30130000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
En stock: 30130000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 12V |
|---|---|
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
| Package composant fournisseur | US6 |
| Séries | - |
| Puissance - Max | 200mW |
| Emballage | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Autres noms | HN3C10FUTE85LFCT |
| Température de fonctionnement | - |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant | HN3C10FUTE85LF |
| Gain | 11.5dB |
| Fréquence - Transition | 7GHz |
| Description élargie | RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 80mA 7GHz 200mW Surface Mount US6 |
| La description | TRANSISTOR NPN US6 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 20mA, 10V |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 80mA |
Autres
| Autres noms | HN3C10FUTE85LFCT |
|---|---|
| Emballage normal | 1 |
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Distributeur de Toshiba Semiconductor and Storage
- Touchstone Semiconductor Inc. crée des solutions de circuits intégrés analogiques hautes performances qui résolvent les problèmes critiques des entreprises du secteur de l'électronique. Nos produits propriétaires offrent une combinaison unique de fonctionnalités et de performances que l’on ne peut trouver ailleurs sur le marché de l’analogique. Nos produits de deuxième source sont compatibles avec les broches et leurs spécifications sont identiques à celles des offres concurrentes, offrant une alternative idéale aux produits à fournisseur unique difficiles à sécuriser. Fondée en 2010, Touchstone a son siège à Milpitas, en Californie. Ses investisseurs comprennent Opus Capital et Khosla Ventures.
Notre mission chez Touchstone Semiconductor est de concevoir des circuits intégrés analogiques hautes performances qui vous aident à résoudre les problèmes de vos clients. Pour ce faire, nous développons des circuits intégrés analogiques ultra-basse consommation et haute performance qui réduisent la consommation d'énergie de vos produits.