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RN1130MFV,L3F

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RN1130MFV,L3F

EXSHINE Modèle de produit:EX-RN1130MFV,L3F
Fabricant Modèle de produit:RN1130MFV,L3F
Fabricant / Marque:Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description:TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:RN1130MFV
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
RN1130MFV,L3F
En stock: 94702000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur VESM
Séries -
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 100k
Resistor - Base (R1) (Ohms) 100k
Puissance - Max 150mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SOT-723
Autres noms RN1130MFV(TL3,T)
RN1130MFV(TL3T)TR
RN1130MFV(TL3T)TR-ND
RN1130MFV,L3F(B
RN1130MFV,L3F(T
RN1130MFVL3F
RN1130MFVL3F-ND
RN1130MFVL3FTR
RN1130MFVTL3T
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 16 Weeks
Référence fabricant RN1130MFV,L3F
Fréquence - Transition 250MHz
Description élargie Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VESM
La description TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA

Autres

Emballage normal 8,000
Autres noms RN1130MFV(TL3,T)

RN1130MFV(TL3T)TR

RN1130MFV(TL3T)TR-ND

RN1130MFV,L3F(B

RN1130MFV,L3F(T

RN1130MFVL3F

RN1130MFVL3F-ND

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Distributeur de Toshiba Semiconductor and Storage

- Touchstone Semiconductor Inc. crée des solutions de circuits intégrés analogiques hautes performances qui résolvent les problèmes critiques des entreprises du secteur de l'électronique. Nos produits propriétaires offrent une combinaison unique de fonctionnalités et de performances que l’on ne peut trouver ailleurs sur le marché de l’analogique. Nos produits de deuxième source sont compatibles avec les broches et leurs spécifications sont identiques à celles des offres concurrentes, offrant une alternative idéale aux produits à fournisseur unique difficiles à sécuriser. Fondée en 2010, Touchstone a son siège à Milpitas, en Californie. Ses investisseurs comprennent Opus Capital et Khosla Ventures.
Notre mission chez Touchstone Semiconductor est de concevoir des circuits intégrés analogiques hautes performances qui vous aident à résoudre les problèmes de vos clients. Pour ce faire, nous développons des circuits intégrés analogiques ultra-basse consommation et haute performance qui réduisent la consommation d'énergie de vos produits.

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