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RN1902FE,LF(CT
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-RN1902FE,LF(CT |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | RN1902FE,LF(CT |
| Fabricant / Marque: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Brève description: | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | RN1901FE-06FE |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
RN1902FE,LF(CT
En stock: 45914000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
|---|---|
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Package composant fournisseur | ES6 |
| Séries | - |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 1k |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10k |
| Puissance - Max | 100mW |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | SOT-563, SOT-666 |
| Autres noms | RN1902FE(T5L,F,T) RN1902FE(T5LFT)TR RN1902FE(T5LFT)TR-ND RN1902FELF(CTTR |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant | RN1902FE,LF(CT |
| Fréquence - Transition | 250MHz |
| Description élargie | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| La description | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
Autres
| Emballage normal | 4,000 |
|---|---|
| Autres noms | RN1902FE(T5L,F,T) RN1902FE(T5LFT)TR RN1902FE(T5LFT)TR-ND RN1902FELF(CTTR |
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EMS EXPRESS Délai de livraison: 7-10 jours. |
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Distributeur de Toshiba Semiconductor and Storage
- Touchstone Semiconductor Inc. crée des solutions de circuits intégrés analogiques hautes performances qui résolvent les problèmes critiques des entreprises du secteur de l'électronique. Nos produits propriétaires offrent une combinaison unique de fonctionnalités et de performances que l’on ne peut trouver ailleurs sur le marché de l’analogique. Nos produits de deuxième source sont compatibles avec les broches et leurs spécifications sont identiques à celles des offres concurrentes, offrant une alternative idéale aux produits à fournisseur unique difficiles à sécuriser. Fondée en 2010, Touchstone a son siège à Milpitas, en Californie. Ses investisseurs comprennent Opus Capital et Khosla Ventures.
Notre mission chez Touchstone Semiconductor est de concevoir des circuits intégrés analogiques hautes performances qui vous aident à résoudre les problèmes de vos clients. Pour ce faire, nous développons des circuits intégrés analogiques ultra-basse consommation et haute performance qui réduisent la consommation d'énergie de vos produits.