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RN4987FE,LF(CB

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RN4987FE,LF(CB

EXSHINE Modèle de produit:EX-RN4987FE,LF(CB
Fabricant Modèle de produit:RN4987FE,LF(CB
Fabricant / Marque:Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:RN4987FE
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
RN4987FE,LF(CB
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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur ES6
Séries -
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Puissance - Max 100mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SOT-563, SOT-666
Autres noms RN4987FE(T5L,F,T)
RN4987FE(T5LFT)TR
RN4987FE(T5LFT)TR-ND
RN4987FE,LF(CT
RN4987FELF(CBTR
RN4987FELF(CTTR
RN4987FELF(CTTR-ND
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 16 Weeks
Référence fabricant RN4987FE,LF(CB
Fréquence - Transition 250MHz, 200MHz
Description élargie Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
La description TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA

Autres

Autres noms RN4987FE(T5L,F,T)

RN4987FE(T5LFT)TR

RN4987FE(T5LFT)TR-ND

RN4987FE,LF(CT

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Distributeur de Toshiba Semiconductor and Storage

- Touchstone Semiconductor Inc. crée des solutions de circuits intégrés analogiques hautes performances qui résolvent les problèmes critiques des entreprises du secteur de l'électronique. Nos produits propriétaires offrent une combinaison unique de fonctionnalités et de performances que l’on ne peut trouver ailleurs sur le marché de l’analogique. Nos produits de deuxième source sont compatibles avec les broches et leurs spécifications sont identiques à celles des offres concurrentes, offrant une alternative idéale aux produits à fournisseur unique difficiles à sécuriser. Fondée en 2010, Touchstone a son siège à Milpitas, en Californie. Ses investisseurs comprennent Opus Capital et Khosla Ventures.
Notre mission chez Touchstone Semiconductor est de concevoir des circuits intégrés analogiques hautes performances qui vous aident à résoudre les problèmes de vos clients. Pour ce faire, nous développons des circuits intégrés analogiques ultra-basse consommation et haute performance qui réduisent la consommation d'énergie de vos produits.

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