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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > SSM3J114TU(T5L,T)
SSM3J114TU(T5L,T)

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SSM3J114TU(T5L,T)

EXSHINE Modèle de produit:EX-SSM3J114TU(T5L,T)
Fabricant Modèle de produit:SSM3J114TU(T5L,T)
Fabricant / Marque:Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description:MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:1
Datasheet Télécharger:SSM3J114TUMosfets Prod Guide
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
SSM3J114TU(T5L,T)
En stock: 24042000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur UFM
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 149 mOhm @ 600mA, 4V
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta)
Emballage Original-Reel®
Package / Boîte 3-SMD, Flat Leads
Autres noms SSM3J114TU(T5LT)DKR
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant SSM3J114TU(T5L,T)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 331pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.7nC @ 4V
type de FET P-Channel
Fonction FET -
Description élargie P-Channel 20V 1.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM
Tension drain-source (Vdss) 20V
La description MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.8A (Ta)

Autres

Emballage normal 1
Autres noms SSM3J114TU(T5LT)DKR

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Distributeur de Toshiba Semiconductor and Storage

- Touchstone Semiconductor Inc. crée des solutions de circuits intégrés analogiques hautes performances qui résolvent les problèmes critiques des entreprises du secteur de l'électronique. Nos produits propriétaires offrent une combinaison unique de fonctionnalités et de performances que l’on ne peut trouver ailleurs sur le marché de l’analogique. Nos produits de deuxième source sont compatibles avec les broches et leurs spécifications sont identiques à celles des offres concurrentes, offrant une alternative idéale aux produits à fournisseur unique difficiles à sécuriser. Fondée en 2010, Touchstone a son siège à Milpitas, en Californie. Ses investisseurs comprennent Opus Capital et Khosla Ventures.
Notre mission chez Touchstone Semiconductor est de concevoir des circuits intégrés analogiques hautes performances qui vous aident à résoudre les problèmes de vos clients. Pour ce faire, nous développons des circuits intégrés analogiques ultra-basse consommation et haute performance qui réduisent la consommation d'énergie de vos produits.

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