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SSM6N42FE(TE85L,F)

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SSM6N42FE(TE85L,F)

EXSHINE Modèle de produit:EX-SSM6N42FE(TE85L,F)
Fabricant Modèle de produit:SSM6N42FE(TE85L,F)
Fabricant / Marque:Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description:MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SSM6N42FEMosfets Prod Guide
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
SSM6N42FE(TE85L,F)
En stock: 11292 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Package composant fournisseur ES6 (1.6x1.6)
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240 mOhm @ 500mA, 4.5V
Puissance - Max 150mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SOT-563, SOT-666
Autres noms SSM6N42FE (TE85L,F)
SSM6N42FE(TE85LF)TR
SSM6N42FETE85LF
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant SSM6N42FE(TE85L,F)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 90pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 4.5V
type de FET 2 N-Channel (Dual)
Fonction FET Logic Level Gate
Description élargie Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 800mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
Tension drain-source (Vdss) 20V
La description MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 800mA

Autres

Autres noms SSM6N42FE (TE85L,F)

SSM6N42FE(TE85LF)TR

SSM6N42FETE85LF
Emballage normal 4,000

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Distributeur de Toshiba Semiconductor and Storage

- Touchstone Semiconductor Inc. crée des solutions de circuits intégrés analogiques hautes performances qui résolvent les problèmes critiques des entreprises du secteur de l'électronique. Nos produits propriétaires offrent une combinaison unique de fonctionnalités et de performances que l’on ne peut trouver ailleurs sur le marché de l’analogique. Nos produits de deuxième source sont compatibles avec les broches et leurs spécifications sont identiques à celles des offres concurrentes, offrant une alternative idéale aux produits à fournisseur unique difficiles à sécuriser. Fondée en 2010, Touchstone a son siège à Milpitas, en Californie. Ses investisseurs comprennent Opus Capital et Khosla Ventures.
Notre mission chez Touchstone Semiconductor est de concevoir des circuits intégrés analogiques hautes performances qui vous aident à résoudre les problèmes de vos clients. Pour ce faire, nous développons des circuits intégrés analogiques ultra-basse consommation et haute performance qui réduisent la consommation d'énergie de vos produits.

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