TK50P03M1(T6RSS-Q)

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TK50P03M1(T6RSS-Q)

EXSHINE Modèle de produit:EX-TK50P03M1(T6RSS-Q)
Fabricant Modèle de produit:TK50P03M1(T6RSS-Q)
Fabricant / Marque:Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description:MOSFET N-CH 30V 50A DP TO252-3
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:1
Datasheet Télécharger:TK50P03M1
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
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TK50P03M1(T6RSS-Q)
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 200µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur DP
Séries U-MOSVI-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5 mOhm @ 25A, 10V
Dissipation de puissance (max) 47W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms TK50P03M1(T6RSSQ)TR
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 12 Weeks
Référence fabricant TK50P03M1(T6RSS-Q)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 25.3nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 30V 50A (Ta) 47W (Tc) Surface Mount DP
Tension drain-source (Vdss) 30V
La description MOSFET N-CH 30V 50A DP TO252-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Ta)

Autres

Autres noms TK50P03M1(T6RSSQ)TR
Emballage normal 2,000

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Distributeur de Toshiba Semiconductor and Storage

- Touchstone Semiconductor Inc. crée des solutions de circuits intégrés analogiques hautes performances qui résolvent les problèmes critiques des entreprises du secteur de l'électronique. Nos produits propriétaires offrent une combinaison unique de fonctionnalités et de performances que l’on ne peut trouver ailleurs sur le marché de l’analogique. Nos produits de deuxième source sont compatibles avec les broches et leurs spécifications sont identiques à celles des offres concurrentes, offrant une alternative idéale aux produits à fournisseur unique difficiles à sécuriser. Fondée en 2010, Touchstone a son siège à Milpitas, en Californie. Ses investisseurs comprennent Opus Capital et Khosla Ventures.
Notre mission chez Touchstone Semiconductor est de concevoir des circuits intégrés analogiques hautes performances qui vous aident à résoudre les problèmes de vos clients. Pour ce faire, nous développons des circuits intégrés analogiques ultra-basse consommation et haute performance qui réduisent la consommation d'énergie de vos produits.

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