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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > TPH1110FNH,L1Q
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TPH1110FNH,L1Q
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-TPH1110FNH,L1Q |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | TPH1110FNH,L1Q |
| Fabricant / Marque: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Brève description: | MOSFET N-CH 250V 15A 8-SOP |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | TPH1110FNH |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
TPH1110FNH,L1Q
En stock: 71743000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
En stock: 71743000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 300µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 8-SOP Advance (5x5) |
| Séries | U-MOSVIII-H |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 112 mOhm @ 5A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 1.6W (Ta), 57W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 8-PowerVDFN |
| Autres noms | TPH1110FNH,L1Q(M TPH1110FNH,L1QTR TPH1110FNH,L1QTR-ND TPH1110FNHL1QTR |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 16 Weeks |
| Référence fabricant | TPH1110FNH,L1Q |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Description élargie | N-Channel 250V 10A (Ta) 1.6W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 250V |
| La description | MOSFET N-CH 250V 15A 8-SOP |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 10A (Ta) |
Autres
| Emballage normal | 5,000 |
|---|---|
| Autres noms | TPH1110FNH,L1Q(M TPH1110FNH,L1QTR TPH1110FNH,L1QTR-ND TPH1110FNHL1QTR |
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Distributeur de Toshiba Semiconductor and Storage
- Touchstone Semiconductor Inc. crée des solutions de circuits intégrés analogiques hautes performances qui résolvent les problèmes critiques des entreprises du secteur de l'électronique. Nos produits propriétaires offrent une combinaison unique de fonctionnalités et de performances que l’on ne peut trouver ailleurs sur le marché de l’analogique. Nos produits de deuxième source sont compatibles avec les broches et leurs spécifications sont identiques à celles des offres concurrentes, offrant une alternative idéale aux produits à fournisseur unique difficiles à sécuriser. Fondée en 2010, Touchstone a son siège à Milpitas, en Californie. Ses investisseurs comprennent Opus Capital et Khosla Ventures.
Notre mission chez Touchstone Semiconductor est de concevoir des circuits intégrés analogiques hautes performances qui vous aident à résoudre les problèmes de vos clients. Pour ce faire, nous développons des circuits intégrés analogiques ultra-basse consommation et haute performance qui réduisent la consommation d'énergie de vos produits.