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ULN2803AFWG,C,EL

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ULN2803AFWG,C,EL

EXSHINE Modèle de produit:EX-ULN2803AFWG,C,EL
Fabricant Modèle de produit:ULN2803AFWG,C,EL
Fabricant / Marque:Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description:TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SOL
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:ULN2803,04APG/AFWG Datasheet
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
ULN2803AFWG,C,EL
En stock: 68647000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA
Transistor Type 8 NPN Darlington
Package composant fournisseur 18-SOL
Séries -
Puissance - Max 1.31W
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Autres noms Q10279048G
Q10590952
ULN2803AFWG (C,EL
ULN2803AFWG (C,ELHA
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ULN2803AFWG(5,EL,M)
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ULN2803AFWG(OELMTR
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ULN2803AFWG5ELMTR
ULN2803AFWG5ELMTR-ND
ULN2803AFWGCELHA
ULN2803AFWGCELTR
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant ULN2803AFWG,C,EL
Fréquence - Transition -
Description élargie Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 1.31W Surface Mount 18-SOL
La description TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SOL
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 350mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) -
Courant - Collecteur (Ic) (max) 500mA

Autres

Emballage normal 1,000
Autres noms Q10279048G

Q10590952

ULN2803AFWG (C,EL

ULN2803AFWG (C,ELHA

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ULN2803AFWG5ELMTR-ND

ULN2803AFWGCELHA

ULN2803AFWGCELTR

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Distributeur de Toshiba Semiconductor and Storage

- Touchstone Semiconductor Inc. crée des solutions de circuits intégrés analogiques hautes performances qui résolvent les problèmes critiques des entreprises du secteur de l'électronique. Nos produits propriétaires offrent une combinaison unique de fonctionnalités et de performances que l’on ne peut trouver ailleurs sur le marché de l’analogique. Nos produits de deuxième source sont compatibles avec les broches et leurs spécifications sont identiques à celles des offres concurrentes, offrant une alternative idéale aux produits à fournisseur unique difficiles à sécuriser. Fondée en 2010, Touchstone a son siège à Milpitas, en Californie. Ses investisseurs comprennent Opus Capital et Khosla Ventures.
Notre mission chez Touchstone Semiconductor est de concevoir des circuits intégrés analogiques hautes performances qui vous aident à résoudre les problèmes de vos clients. Pour ce faire, nous développons des circuits intégrés analogiques ultra-basse consommation et haute performance qui réduisent la consommation d'énergie de vos produits.

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