EXSHINE Modèle de produit: | EX-TPH3208LD |
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Fabricant Modèle de produit: | TPH3208LD |
Fabricant / Marque: | Transphorm |
Brève description: | GAN FET 650V 20A PQFN88 |
État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Condition: | New and unused, Original |
Datasheet Télécharger: | TPH3208L |
Application: | - |
Poids: | - |
Remplacement alternatif: | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 300µA |
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Vgs (Max) | ±18V |
La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Package composant fournisseur | PQFN (8x8) |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 13A, 8V |
Dissipation de puissance (max) | 96W (Tc) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | 4-PowerDFN |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) |
Délai de livraison standard du fabricant | 14 Weeks |
Référence fabricant | TPH3208LD |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 400V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 8V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Description élargie | N-Channel 650V 20A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8) |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | - |
Tension drain-source (Vdss) | 650V |
La description | GAN FET 650V 20A PQFN88 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 20A (Tc) |
Emballage normal | 60 |
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