US1M-E3/5AT

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US1M-E3/5AT

EXSHINE Modèle de produit:EX-US1M-E3/5AT
Fabricant Modèle de produit:US1M-E3/5AT
Fabricant / Marque:Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Brève description:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:US1A-1MPackaging Information
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US1M-E3/5AT
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Paramètre du produit

Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.7V @ 1A
Tension - inverse (Vr) (max) 1000V (1kV)
Package composant fournisseur DO-214AC (SMA)
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 75ns
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte DO-214AC, SMA
Autres noms US1M-E3/5AT-ND
US1M-E3/5ATGITR
US1ME35AT
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 26 Weeks
Référence fabricant US1M-E3/5AT
Description élargie Diode Standard 1000V (1kV) 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Type de diode Standard
La description DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Courant - fuite, inverse à Vr 10µA @ 1000V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 1A
Capacité à Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz

Autres

Autres noms US1M-E3/5AT-ND

US1M-E3/5ATGITR

US1ME35AT
Emballage normal 7,500

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Distributeur de Vishay Semiconductor Diodes Division

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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