IRFBF30PBF

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IRFBF30PBF

EXSHINE Modèle de produit:EX-IRFBF30PBF
Fabricant Modèle de produit:IRFBF30PBF
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IRFBF30Packaging Information
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IRFBF30PBF
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220AB
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7 Ohm @ 2.2A, 10V
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-3
Autres noms *IRFBF30PBF
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 11 Weeks
Référence fabricant IRFBF30PBF
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 78nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 900V 3.6A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 900V
La description MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.6A (Tc)

Autres

Emballage normal 50
Autres noms *IRFBF30PBF

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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