IRFIB5N65A

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IRFIB5N65A

EXSHINE Modèle de produit:EX-IRFIB5N65A
Fabricant Modèle de produit:IRFIB5N65A
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP
État sans plomb / État RoHS:Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IRFIB5N65A, SiHFIB5N65A
Application:-
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IRFIB5N65A
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220-3
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 930 mOhm @ 3.1A, 10V
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Autres noms *IRFIB5N65A
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant IRFIB5N65A
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1417pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 650V 5.1A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220-3
Tension drain-source (Vdss) 650V
La description MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.1A (Tc)

Autres

Autres noms *IRFIB5N65A
Emballage normal 1,000

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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