IRFZ10PBF

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IRFZ10PBF

EXSHINE Modèle de produit:EX-IRFZ10PBF
Fabricant Modèle de produit:IRFZ10PBF
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IRFZ10Packaging Information
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Poids:-
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Disponibilité en temps réel pour
IRFZ10PBF
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220AB
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 6A, 10V
Dissipation de puissance (max) 43W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-3
Autres noms *IRFZ10PBF
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 11 Weeks
Référence fabricant IRFZ10PBF
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 60V 10A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 60V
La description MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc)

Autres

Emballage normal 1,000
Autres noms *IRFZ10PBF

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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