SI1012CR-T1-GE3

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SI1012CR-T1-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SI1012CR-T1-GE3
Fabricant Modèle de produit:SI1012CR-T1-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-75A
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SI1012CR-T1-GE3
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SI1012CR-T1-GE3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±8V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur SC-75A
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 396 mOhm @ 600mA, 4.5V
Dissipation de puissance (max) 240mW (Ta)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SC-75, SOT-416
Autres noms SI1012CR-T1-GE3-ND
SI1012CR-T1-GE3TR
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 24 Weeks
Référence fabricant SI1012CR-T1-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 43pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 8V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 20V 240mW (Ta) Surface Mount SC-75A
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 20V
La description MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-75A
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C -

Autres

Autres noms SI1012CR-T1-GE3-ND

SI1012CR-T1-GE3TR
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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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