SI1922EDH-T1-GE3

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SI1922EDH-T1-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SI1922EDH-T1-GE3
Fabricant Modèle de produit:SI1922EDH-T1-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:Si1922EDH
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SI1922EDH-T1-GE3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Package composant fournisseur SC-70-6 (SOT-363)
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 198 mOhm @ 1A, 4.5V
Puissance - Max 1.25W
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Autres noms SI1922EDH-T1-GE3TR
SI1922EDHT1GE3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 24 Weeks
Référence fabricant SI1922EDH-T1-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 8V
type de FET 2 N-Channel (Dual)
Fonction FET Logic Level Gate
Description élargie Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Tension drain-source (Vdss) 20V
La description MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.3A

Autres

Autres noms SI1922EDH-T1-GE3TR

SI1922EDHT1GE3
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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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